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通过引进全自动生产线设备、高可靠性检测仪器,扩建10000㎡高可靠性生产场地,提升产能。改进图形化的仿真设计、半导化工艺的电极涂覆工艺、集成图形的光刻等工艺方式。实现薄膜集成电路产品年产能从500万只提升到1.2亿只,微波芯片电容器产品年产能从5000万只提升到1亿只;年产值可达2.8亿元。项目建筑面积:31795平方米,占地面积:28427 平方米。建设完成后各项综合指标达到国内领先水平,实现微波芯片电容器和薄膜集成电路产品产业化,产品满足在微波通讯、光通讯等方面应用,保障核心技术实现自主可控,全面替代进口,实现国产化。
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